特許
J-GLOBAL ID：200903090939178133

半導体装置の製造方法

発明者：
斉藤 正典

斉藤 正典 について

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味岡 正樹

味岡 正樹 について

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小池 伸二

小池 伸二 について

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寺田 真樹

寺田 真樹 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-173273
公開番号（公開出願番号）：特開2006-351659
出願日： 2005年06月14日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：
【課題】 深部に注入した不純物イオンを活性化することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、第1工程と、第2工程と、第3工を備えている。第1工程では、ウェーハ14の表側に半導体装置の表側構造を形成する。第2工程では、ウェーハ14の裏面からウェーハ14に不純物イオンを注入する。第3工程では、ウェーハ14の裏面に以下の条件を満足するレーザ光を照射する。その条件は、(1)波長が690〜900nmであり、(2)照射時間が10〜100μsecであり、(3)パワー密度が250〜750kW/cm2である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ウェーハの表側に半導体装置の表側構造を形成する第1工程と、 ウェーハの裏面からウェーハに不純物イオンを注入する第2工程と、 ウェーハの裏面に以下の(1)、(2)、(3)の条件を満足するレーザ光、即ち、 (1)波長:690〜900nm、 (2)照射時間:10〜100μsec、 (3)パワー密度:250〜750kW/cm2、 を照射する第3工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/265 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L21/265 602C ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655C ,  H01L21/265 F ,  H01L29/78 658A
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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