特許

J-GLOBAL ID：200903090939908050

電極の製造方法

発明者： 寺口 信明
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-110388
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340511
出願日： 1994年07月19日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】 p型AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)半導体に対して良好なオーミック接触が得られる電極構造とする。【解決手段】 水素を含み、アクセプタ不純物を含んだAlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)半導体層上に、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Yb、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Pdのいずれかにである水素貯蔵金属を堆積することで、半導体層/電極界面63においてコンタクト層として十分な高キャリア濃度が得られ、極めて小さいオーミック接触抵抗が実現できる。

請求項（抜粋）：

水素を含み、アクセプタ不純物を含んだAlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)半導体層上に、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Yb、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Pdのいずれかである水素貯蔵金属を堆積することを特徴とする電極の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01S 3/18 624

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 H ,  H01S 3/18 624

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化物系半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-211793   出願人：旭化成工業株式会社
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-135220   出願人：旭化成工業株式会社
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-222627   出願人：旭化成工業株式会社
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-224110   出願人：旭化成工業株式会社