特許
J-GLOBAL ID：200903090952560160

半導体装置及びその製造方法

発明者：
横山 孝司

横山 孝司 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-112266
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306998
出願日： 1999年04月20日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 層間絶縁膜に比誘電率の小さい材料が用いられ配線の信号伝播遅延が改善されて高速動作が可能でありながら、放熱性が改善され故障が低減された高信頼性の半導体装置を提供する。【解決手段】 層間絶縁膜を介して上層配線と下層配線を有し、上層配線と下層配線とを電気的に接続する接続部を有する半導体装置において、接続部と同一材料からなる熱伝導部を、層間絶縁膜上面に達するように下層配線上に絶縁性薄膜を介して形成する。
請求項（抜粋）：
層間絶縁膜を介して上層配線と下層配線を有し、上層配線と下層配線とを電気的に接続する接続部を有する半導体装置において、接続部と同一材料からなる熱伝導部が、層間絶縁膜上面に達するように下層配線上に絶縁性薄膜を介して形成されていることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/90 B ,  H01L 21/90 Z
Fターム (30件)：
5F033JJ08 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK18 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM08 ,  5F033NN17 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ39 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033VV01 ,  5F033XX22
引用特許：
審査官引用 (6件)
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