特許

J-GLOBAL ID：200903090953247520

窒化化合物半導体レーザー素子

発明者： 山口 敦史
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-347836
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190146
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 しきい値電流密度の低い窒化化合物半導体レーザー素子を提供する。【解決手段】 窒化ガリウム、窒化アルミニウム及び窒化インジウムの中から選ばれた1種の層、或いはこれらの中から選ばれた2種以上による混晶の層からなる窒化化合物半導体層を有する窒化化合物半導体レーザー素子において、熱膨張係数に異方性のある物質からなる基板であって、基板面内に熱膨張係数の異方性が現れるような基板面方位を有する基板を用いたことを特徴とする窒化化合物半導体レーザー素子。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム、窒化アルミニウム及び窒化インジウムの中から選ばれた1種の層、或いはこれらの中から選ばれた2種以上による混晶の層からなる窒化化合物半導体層を少なくとも1層有する窒化化合物半導体レーザー素子において、熱膨張係数に異方性のある物質からなる基板であって、基板面内に熱膨張係数の異方性が現れるような基板面方位を有する基板を用いたことを特徴とする窒化化合物半導体レーザー素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体発光素子およびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-202479   出願人：ローム株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-253784   出願人：三洋電機株式会社