特許
J-GLOBAL ID：200903090962887044

半導体製造プロセス装置の排気用配管の施工方法とこれに使用する排気用配管ユニット

発明者：
田代 佳行

田代 佳行 について


出願人/特許権者：
トーフレ株式会社

トーフレ株式会社 について


代理人 (1件)： 藤本 昇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-293993
公開番号（公開出願番号）：特開平11-132359
出願日： 1997年10月27日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 メンテナンスを含めた一連の配管作業の簡略化を図ると共に、この種の配管として最適な排気用配管ユニットの提供を課題とする。【解決手段】 半導体製造プロセス装置7から排出されるガスを真空ポンプ8により排気すべく該真空ポンプ8と前記半導体製造プロセス装置7間に接続される排気用配管の施工方法であって、オーステナイトステンレス製パイプを曲げ加工して製作した形状の異なる複数種類の曲り管1を、連結手段により無溶接で連結せしめて排気用配管Aを施工することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体製造プロセス装置(7) から排出されるガスを真空ポンプ(8) により排気すべく該真空ポンプ(8) と前記半導体製造プロセス装置(7) 間に接続される排気用配管の施工方法であって、オーステナイトステンレス製パイプを曲げ加工して製作した形状の異なる複数種類の曲り管(1) を、連結手段により無溶接で連結せしめて排気用配管(A) を施工すること特徴とする半導体製造プロセス装置の排気用配管の施工方法。
IPC (6件)：
F16L 1/00 ,  F24F 13/02 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/3065
FI (6件)：
F16L 1/00 F ,  F24F 13/02 A ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 603 C ,  H01L 21/302 B
引用特許：
審査官引用 (2件)

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