特許
J-GLOBAL ID：200903090963534684

半導体装置の電極の製造方法

発明者：
下田 将義

下田 将義 について

, 
武居 正彦

武居 正彦 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-200248
公開番号（公開出願番号）：特開2003-013246
出願日： 2001年07月02日
公開日（公表日）： 2003年01月15日
要約：
【要約】【課題】ICチップ等の半導体装置の所望の電極上のみに、ニッケルめっき膜を高い良品率で形成できる半導体装置の電極の製造方法を提供する。【解決手段】ポジ型感光性ポリイミドをフォトレジストとして、所望のアルミ電極のみを露出させ(工程1)、ジンケート処理で露出しているアルミ電極の表面に亜鉛膜を生成し(工程2)、この亜鉛膜との置換反応を初期反応としてニッケル膜を所望のアルミ電極上に無電解めっきし(工程3)、最後に、フォトレジストを除去する(工程4)。ジンケート処理を2回繰り返すダブルジンケート処理が最も有効である。
請求項（抜粋）：
アルミ電極を備えたICチップ等の半導体装置の所望のアルミ電極上に燐を含んだニッケルめっき膜を形成するための半導体装置の電極の製造方法であって、複数の前記半導体装置にチップ化される前のウェハ状態において適用され、フォトレジストとしてポジ型の感光性ポリイミドを用いて、前記ニッケルめっき膜を形成しようとするアルミ電極のみを露出させるように半導体装置の表面をマスキングする工程と、ジンケート処理によって、露出しているアルミ電極のアルミを亜鉛に置換してアルミ電極の表面に亜鉛膜を形成する工程と、亜鉛膜との置換反応を初段反応として燐を含んだニッケル膜を形成する無電解めっき工程と、フォトレジストを除去する工程と、を有する、ことを特徴とする半導体装置の電極の製造方法。
IPC (3件)：
C23C 18/31 ,  C23C 18/32 ,  H01L 21/3205
FI (3件)：
C23C 18/31 A ,  C23C 18/32 ,  H01L 21/88 T
Fターム (18件)：
4K022AA02 ,  4K022AA31 ,  4K022AA41 ,  4K022BA14 ,  4K022BA16 ,  4K022BA35 ,  4K022CA06 ,  4K022CA08 ,  4K022CA28 ,  4K022DA01 ,  4K022EA03 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033MM05 ,  5F033PP28 ,  5F033PP35 ,  5F033QQ00 ,  5F033VV07
引用特許：
審査官引用 (4件)
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