特許
J-GLOBAL ID：200903090990649531
フォトダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
三好 秀和
, 寺山 啓進
, 三好 広之
, 伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-129833
公開番号（公開出願番号）：特開2009-278003
出願日： 2008年05月16日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：
【課題】受光領域に到達するまでに光の減衰をなるべく防止するとともに、界面でのメジャーキャリアを電子とし、受光領域の検出感度や応答速度が低下しないようなフォトダイオードを提供する。【解決手段】Si基板1に、n型不純物ドープ領域1aが形成され、主としてn型不純物ドープ領域1aが形成されていないシリコン基板1上に積層されたGaN層2との界面が受光領域となっており、この界面でキャリアを分離している。GaNは可視光に対し透明で、不純物ドーピングによるpn接合を持たない。したがって、高感度、高安定性を実現できる。また、Si基板1とGaN層2との界面で光を受光すると、光電流が発生するが、光電流は、GaNとSiの界面を2次元性キャリアとして流れる。これにより、高速応答性を得ることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体の主面上に該半導体材料とは異なる材料で構成された光透過半導体層を備え、前記光透過半導体層の側から光を入射させるヘテロ接合型のフォトダイオードであって、
前記光透過半導体層のフェルミ準位は、真空準位を基準としたときに前記半導体のフェルミ準位の位置よりも浅い位置に形成されていることを特徴とするフォトダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L31/10 A
, H01L21/203 M
5F049MA02
, 5F049MB07
, 5F049NA01
, 5F049NA03
, 5F049NB07
, 5F049PA01
, 5F049PA20
, 5F049SS03
, 5F103AA04
, 5F103BB04
, 5F103BB05
, 5F103BB08
, 5F103DD01
, 5F103GG01
, 5F103HH03
, 5F103JJ03
, 5F103LL05
, 5F103RR05
