特許
J-GLOBAL ID：200903091000635546

高純度チタン及びその製造方法

発明者：
新藤 裕一朗

新藤 裕一朗 について

, 
大橋 建夫

大橋 建夫 について


出願人/特許権者：
株式会社ジャパンエナジー

株式会社ジャパンエナジー について


代理人 (1件)： 小越 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-002821
公開番号（公開出願番号）：特開2000-204494
出願日： 1999年01月08日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
要約：
【要約】【課題】 積層薄膜を構成する物質の相互拡散に起因する汚染物質の抑制及びパーティクルや異常放電現象が生じないスパッタリングターゲットなどに使用することができる高純度チタンを低コストで提供する。【解決手段】 高純度の四塩化チタンを用いて溶融塩電解し、さらにこれを電子ビーム溶解法等により揮発成分を除去して得た高純度チタンであって、Fe、Cr、Ni、Cu等の重金属、Al等の軽金属、Na、K等のアルカリ金属及びU、Th等の放射性元素の総含有量が50ppm以下、好ましくは10ppm以下である高純度チタン及びその製造方法。
請求項（抜粋）：
四塩化チタンを溶融塩電解し、さらに電子ビーム溶解等により揮発成分を除去した高純度チタン材であって、Fe、Cr、Ni、Cu等の重金属、Al等の軽金属、Na、K等のアルカリ金属及びU、Th等の放射性元素の総含有量が50ppm以下であることを特徴とする高純度チタン。
IPC (4件)：
C25C 3/28 ,  C22B 9/22 ,  C22B 34/12 103 ,  C22C 14/00
FI (4件)：
C25C 3/28 ,  C22B 9/22 ,  C22B 34/12 103 ,  C22C 14/00 Z
Fターム (15件)：
4K001AA27 ,  4K001BA08 ,  4K001DB21 ,  4K001EA01 ,  4K001FA13 ,  4K001GA13 ,  4K058AA11 ,  4K058BA10 ,  4K058BB06 ,  4K058CB03 ,  4K058CB04 ,  4K058CB17 ,  4K058CB23 ,  4K058DD02 ,  4K058ED03
引用特許：
審査官引用 (6件)
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