特許
J-GLOBAL ID：200903091001252870

半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
古沢 浩太郎

古沢 浩太郎 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-019347
公開番号（公開出願番号）：特開2002-223039
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】【課題】発光に関与するリッジ部への衝撃やダメージを軽減することが可能な半導体発光素子を提供する。【解決手段】p型エッチングストップ層7の表面上に形成されたリッジ部(8a、9a)と、リッジ部(8a、9a)と所定の間隔を隔てて形成され、リッジ部(8a、9a)の長手方向の側縁部(側面上端部)と平行でない長手方向の側縁部(側面上端部)を有するダミーリッジ部(8b、9b)とを備えている。
請求項（抜粋）：
活性層を含む半導体層と、前記半導体層の表面に形成されたリッジ部と、前記リッジ部と所定の間隔を隔てて形成され、前記リッジ部の長手方向の側縁部と平行でない長手方向の側縁部を有するダミーリッジ部とを備えた、半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 5/223 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01S 5/223 ,  H01L 21/205
Fターム (14件)：
5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AF04 ,  5F045CA12 ,  5F045HA04 ,  5F045HA13 ,  5F045HA14 ,  5F073AA07 ,  5F073AA11 ,  5F073AA53 ,  5F073BA02 ,  5F073CA05 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (9件)
  • 半導体レ-ザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-137180   出願人：ソニー株式会社
  • 導波路型半導体光素子および光通信システム
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-023474   出願人：株式会社日立製作所
  • 半導体レーザおよびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-040324   出願人：ソニー株式会社
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審査官引用 (9件)
  • 半導体レ-ザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-137180   出願人：ソニー株式会社
  • 導波路型半導体光素子および光通信システム
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-023474   出願人：株式会社日立製作所
  • 半導体レーザおよびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-040324   出願人：ソニー株式会社
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