半導体光素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：田中清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-280539
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091691
出願日： 1998年09月16日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】実装時にも温度特性の良好な半導体光素子を提供する。【解決手段】半導体光素子は、基板101上に活性層102、クラッド層103、コンタクト層104、パッシベーション膜105、上部電極106、及び下部電極107から構成される。ここで、中央に形成されたリッジ導波路部はコンタクト層104を備えるがパッシベーション膜105を備えない。また、両側に形成された導波路側部はパッシベーション膜105を備えるがコンタクト層104を備えない。このように構成することで、リッジ導波路部と両側の導波路側部との段差を低減し、段差が0.3μm以下となるようにする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された電流注入領域リッジ導波路部と、前記基板上に前記リッジ導波路部の高さとほぼ同じ高さで隣接して形成された導波路側部とを備えたことを特徴とする半導体光素子。

Fターム (8件)：

5F073AA13 , 5F073AA61 , 5F073AA74 , 5F073AB21 , 5F073AB28 , 5F073CA12 , 5F073EA29 , 5F073FA21

引用特許：

出願人引用 (9件)

光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-335087 出願人：浜松ホトニクス株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-125080 出願人：エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン
特開昭61-044492

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審査官引用 (9件)

光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-335087 出願人：浜松ホトニクス株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-125080 出願人：エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン
特開昭61-044492

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