特許

J-GLOBAL ID：200903091040233475

半導体装置の製造方法

発明者： 上本 勉
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 樺澤 襄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-078163
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274096
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 製造コストを上昇させることなく耐電圧を向上した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 非晶質シリコンに照射するレーザ光の中心部が最も高く、周辺部の温度が低くなり、結晶化は周辺部から起こる。最初の照射で微小結晶を生成し、隣接領域を照射すると微結晶から選択したある結晶を種にして結晶が成長する。順次隣の領域を照射することで選択される結晶は大きくなる。結晶の成長は種の発生する領域から始まるため、結晶の成長の終わりは中心部と非結晶側となる。結晶の成長を順次繰り返していくと、結晶は成長方向に順次成長し、結晶の盛り上がりはスキャニング方向に順次送られる。非晶質シリコンが薄くなる領域までスキャニングすることで、ビーム幅の広いレーザ光に比べて、多結晶シリコンの粒径より狭いビーム幅のレーザ光により、結晶の盛り上がりは生じない。

請求項（抜粋）：

多結晶シリコンの粒径の大きさ以下のビーム幅のレーザをスキャニングして非結晶シリコンを多結晶シリコン層に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/268 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 21/268 F ,  H01L 21/268 J ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-003089
  
• 半導体結晶の成長方法および半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-040818   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 多結晶半導体膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-061072   出願人：株式会社東芝