特許
J-GLOBAL ID：200903091041333643

光半導体装置

発明者：
佐藤 嘉洋

佐藤 嘉洋 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-268331
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078209
出願日： 2001年09月05日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：
【要約】【課題】 光半導体装置に関し、レーザ・アレイ、光合流器、SOAなどを集積化した波長可変光半導体装置に於いて、SOAの出力フィールド・パターンに生成される乱れをなくし、光ファイバと結合する光出力がレーザのチャネル位置に依存することなく均一になるようにする。【解決手段】 DFBレーザ・アレイ部51及びDFBレーザ・アレイ部51の導波路を合流する光合流器部53及び光合流器部53に光結合した半導体光増幅器部54を同一基板41上に集積化した光半導体装置に於いて、半導体光増幅器部54は基板41と平行に且つ基板端面に対して斜め方向に配設すると共に半導体光増幅器54の近傍に於ける散乱光が現れ易い箇所に光吸収器46を配設してある。
請求項（抜粋）：
半導体レーザ・アレイ及び該半導体レーザ・アレイの導波路を合流する光合流器及び該光合流器に光結合した半導体光増幅器を同一基板上に集積化した光半導体装置に於いて、前記半導体光増幅器は前記基板と平行に且つ基板端面に対して斜め方向に配設されると共に前記半導体光増幅器の近傍に於ける散乱光が現れ易い箇所に光吸収器が配設されてなることを特徴とする光半導体装置。
IPC (2件)：
H01S 5/22 610 ,  H01S 5/12
FI (2件)：
H01S 5/22 610 ,  H01S 5/12
Fターム (16件)：
5F073AA46 ,  5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073AB06 ,  5F073AB12 ,  5F073AB25 ,  5F073AB28 ,  5F073BA02 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21 ,  5F073EA02 ,  5F073EA24 ,  5F073EA27
引用特許：
審査官引用 (6件)
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