特許
J-GLOBAL ID：200903091069923624
薄膜圧電共振素子の製造方法及び薄膜圧電共振素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
三好 秀和
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 川又 澄雄
, 中村 友之
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-198001
公開番号（公開出願番号）：特開2007-019758
出願日： 2005年07月06日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：
【課題】 100Ω・cm以上の高い抵抗率を有する高抵抗Si基板上に薄膜圧電共振素子を形成するのに際し、形状制御性良く下部空洞を形成する方法を提供する。【解決手段】 100Ω・cm以上の高抵抗率を有するSi基板1上に形成され、第1の電極2、圧電体及膜4及び第2の電極3を有する薄膜圧電共振素子FRiの製造方法において、薄膜圧電共振素子FRiの直下のSi基板1に当該Si基板を貫通するように薄膜圧電共振素子FRiの下部空洞4となる貫通孔5を形成するに際し、SF6ガスを主体とするエッチングとC4F8ガスを主体とする堆積を繰り返し、かつ該基板に印加するバイアス電圧を調整することにより、貫通部底面の中央部分のエッチング速度が大きくなるように調整しながら空洞を形成する。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
第1の電極、圧電体膜及び第2の電極を有する薄膜圧電共振素子の製造方法において、
前記薄膜圧電共振素子直下の前記Si基板に当該Si基板を貫通するように前記薄膜圧電共振素子の下部空洞となる貫通孔を形成するに際し、SF6ガスを主体とするエッチングとC4F8ガスを主体とする堆積を繰り返し、かつ該Si基板に印加するバイアスパワーを調整することにより、貫通部底面の中央部分のエッチング速度が周囲部分よりも大きくなるようにして前記貫通孔を形成することを特徴とする薄膜圧電共振素子の製造方法。
IPC (5件)：
H03H 3/02
, H03H 9/17
, H01L 41/09
, H01L 41/187
, H01L 41/22
H03H3/02 C
, H03H9/17 F
, H01L41/08 C
, H01L41/18 101B
, H01L41/18 101D
, H01L41/22 Z
5J108AA07
, 5J108CC11
, 5J108EE03
, 5J108EE04
, 5J108EE07
, 5J108MM11
出願人引用 (1件)
-
音響共振器とその製作方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-154956
出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
審査官引用 (2件)
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