基板をエッチングするための方法と装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：新部興治 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-580243
公開番号（公開出願番号）：特表2002-529913
出願日： 1999年11月03日
公開日（公表日）： 2002年09月10日
要約：

【要約】基板をエッチングするための方法と装置を開示する。この方法は、基板をエッチングするステップから成るか、または交互に行われる、エッチングするステップと不動態化層を蒸着するステップから成る。バイアス周波数を基板に印加することができ、この周波数はイオンプラズマ周波数以下とすることができる。バイアス周波数はパルス化することができる。

請求項（抜粋）：

チャンバー内の基板に形状をエッチングする方法であって、交互に行われる、プラズマによるエッチングとプラズマによる不動態化層の蒸着とから成り、基板に、イオンプラズマ周波数以下のバイアス周波数を印加することを特徴とする方法。

Fターム (8件)：

5F004AA06 , 5F004BA08 , 5F004BA09 , 5F004BB12 , 5F004BB13 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004FA08

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体基盤の表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-206672 出願人：サーフィステクノロジーシステムズリミテッド
特開平2-105413
特開平4-114427

全件表示

前のページに戻る