特許
J-GLOBAL ID：200903091078316420
基板のコーティング又は浄化方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-068479
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082492
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】 本発明の目的は、基板の陰極スパッタリング又は陰極エッチングによる形成方法、並びに1012cm-3以上のプラズマ密度を可能にするこの方法を実施する装置を実現することにある。【解決手段】 陰極スパッタリングにより基板にコーティングを形成する方法及び基板を陰極エッチングする方法。基板はチャンバ内に置かれ、チャンバ内にはプラズマが発生され且つマイクロ波周波数範囲内の電磁界を付与することにより電子のサイクロトロン共鳴ゾーンが陰極の近くに形成される。マイクロ波周波数は2.45GHz以上であり、磁界内での電子のサイクロトロン周波数に等しい。或いは、電磁界は、サイクロトロン共鳴ゾーン外のプラズマ放射線が制限されるサイクロトロン共鳴ゾーン内に直接カップリングされる。
請求項（抜粋）：
チャンバ内に基板を置き、次にチャンバをプラズマが生じる1Pa以下の圧力にし且つコーティング形成中に該圧力に維持し、スパッタリングを行なう陰極と陽極との間でチャンバ内に電界を付与し、電子の磁気による閉じ込め回路を実現するため、少なくとも陰極のレベルにおいて電界に対して実質的に垂直な磁界も付与し、磁界中の電子のサイクロトロン周波数に等しいマイクロ波周波数範囲内の電磁界を付与することにより、陰極の近くに電子のサイクロトロン共鳴ゾーンを形成することからなる、陰極スパッタリングにより基板にコーティングを形成する方法において、付与されるマイクロ波周波数が2.45GHz〜45GHz、特に28.5GHzであることを特徴とする基板のコーティング方法。
IPC (5件)：
H05H 1/46
, C23C 14/35
, C23F 4/00
, H01L 21/203
, H01L 21/3065
H05H 1/46 B
, H05H 1/46 C
, C23C 14/35 F
, C23F 4/00 D
, C23F 4/00 C
, H01L 21/203 S
, H01L 21/302 B
