特許

J-GLOBAL ID：200903091084113531

半導体層成長方法

発明者： スチュワート エドワード フーパー ,  ジェニファー メリー バーンズ ,  ジョナサン ヘファーナン ,  アリステア ヘンダーソン キーン
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-180904
公開番号（公開出願番号）：特開2002-080298
出願日： 2001年06月14日
公開日（公表日）： 2002年03月19日
要約：

【要約】【課題】 MBE成長技術によってガリウム窒化物膜を成長する方法を提供する。【解決手段】 本発明の方法は、a)成長チャンバ(10)内に配置されるGaN基板(S)を少なくとも850°Cの基板温度まで加熱する工程と、b)分子線エピタキシーによって、少なくとも850°Cの基板温度で、窒化物半導体層を該GaN基板上に成長させる工程であって、該窒化物半導体層の成長の間、アンモニアガスが該成長チャンバ(10)に供給される工程とを包含し、工程(a)の間、該基板温度が800°Cに達する前に、該アンモニアガスの成長チャンバへの供給を開始する工程をさらに包含する。

請求項（抜粋）：

分子線エピタキシーによって窒化物半導体層を成長させる方法であって、a)成長チャンバ(10)内に配置されるGaN基板(S)を少なくとも850°Cの基板温度まで加熱する工程と、b)分子線エピタキシーによって、少なくとも850°Cの基板温度で、窒化物半導体層を該GaN基板上に成長させる工程であって、該窒化物半導体層の成長の間、アンモニアガスが該成長チャンバ(10)に供給される工程と、を包含し、工程a)の間、該基板温度が800°Cに達する前に、該アンモニアガスの成長チャンバへの供給を開始する工程をさらに包含する、方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/203

FI (3件)：

C30B 29/38 D ,  C30B 23/08 M ,  H01L 21/203 M

Fターム (16件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EE03 ,  4G077SC02 ,  4G077SC08 ,  5F103AA04 ,  5F103BB05 ,  5F103DD01 ,  5F103HH03 ,  5F103NN01 ,  5F103NN05 ,  5F103PP02 ,  5F103RR05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化物半導体の結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-178606   出願人：古河電気工業株式会社

審査官引用 (1件)

• 窒化物半導体の結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-178606   出願人：古河電気工業株式会社

引用文献：

出願人引用 (2件)

• The growth rate evolution versus substrate temperature and V/III ratio during GaN MBE using ammonia
• High Quality Homoepitaxial GaN Grown by Molecular Beam Epitaxy with NH3 on Surface Cracking

審査官引用 (2件)

• The growth rate evolution versus substrate temperature and V/III ratio during GaN MBE using ammonia
• High Quality Homoepitaxial GaN Grown by Molecular Beam Epitaxy with NH3 on Surface Cracking