特許
J-GLOBAL ID：200903091092629873

炭化珪素単結晶の製造装置およびその製造方法

発明者：
近藤 宏行

近藤 宏行 について

, 
恩田 正一

恩田 正一 について

, 
松井 正樹

松井 正樹 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-221128
公開番号（公開出願番号）：特開2009-051701
出願日： 2007年08月28日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：
【課題】高品質なSiC単結晶を長尺で得られるようにする。【解決手段】回転装置5や加熱装置6の中心軸R1に対して黒鉛製るつぼ1の中心軸R2が一定距離Lずらされるように黒鉛るつぼ1を配置すると共に、SiC単結晶基板3における螺旋転位発生可能領域4bが回転装置5および加熱装置6の中心軸R1と一致させる。これにより、SiC単結晶基板3にSiC単結晶4を成長させる際に、SiC単結晶4のうちの螺旋転位発生可能領域4bがその周囲の領域と比べて高温になることを防止できる。したがって、SiC単結晶4の長尺の成長が可能となり、大口径の高品質結晶を多数枚得ることも可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
底部および開口部を有する有底円筒状部材にて構成されたるつぼ本体(1a)と、炭化珪素単結晶基板(3)が配置される台座(1c)を含み、前記るつぼ本体(1a)の前記開口部を密封するための蓋材(1b)とを有してなる円筒形状のるつぼ(1)と、前記るつぼ(1)の外周に配置された加熱装置(6)とを備え、 前記るつぼ本体(1a)内に炭化珪素原料(2)を配置すると共に、前記台座(1c)に前記炭化珪素単結晶基板(3)として{0001}面から1°以上かつ15°以下傾斜させた面を成長面として有していて該成長面上に成長させる炭化珪素単結晶(4)に螺旋転位(4a)を周囲よりも高密度で発生させることができる螺旋転位発生可能領域(4b)を{0001}面の法線ベクトルを成長面に投影したベクトルの方向であるオフセット方向の端部であって、かつ、成長面上の50%以下の領域に有する種結晶を配置し、 前記加熱装置(6)により前記炭化珪素原料(2)を加熱昇華させることで前記炭化珪素単結晶基板(3)上に前記炭化珪素単結晶(4)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、 前記るつぼ(1)は、前記加熱装置(6)の中心軸(R1)に対して前記台座(1c)の中心を通る該るつぼ(1)の中心軸(R2)が所定距離(L)ずらされて配置されていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。
IPC (2件)：
C30B 29/36 ,  C30B 23/06
FI (2件)：
C30B29/36 A ,  C30B23/06
Fターム (12件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EG25 ,  4G077EH06 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  4G077SA08 ,  4G077SA11
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 特許第3764462号公報
  • 特開平4-357824号公報
  • 炭化ケイ素の結晶成長方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-050721   出願人：三洋電機株式会社
全件表示
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM