特許
J-GLOBAL ID：200903091123378360

電力用半導体装置及びその製造方法

発明者：
渡部 信一

渡部 信一 について

, 
佐藤 克己

佐藤 克己 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-241626
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077350
出願日： 1998年08月27日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板中のより深い位置にN型領域を形成する。【解決手段】 本GTOはシリコン基板中に形成されたN型層1と、N型層1の表面1S1上に形成されたP型ベース層2と、P型ベース層2の表面2S2上に形成されたN型エミッタ層3と、N型層1の表面1S2上の所定の位置に形成されたP型エミッタ層4と、P型エミッタ層4の表面4S2及び側面4Wに接するように形成されたN型層5とを備える。N型層5は、シリコン基板の主面1S3の全面に対して、例えば4.5MeVの加速エネルギー及び5×1012cm-2のドーズ量で以てプロトンが照射された後に、シリコン基板に例えば350°Cの温度で熱処理を施すことにより形成される。上記熱処理により、プロトンの照射により生じた結晶欠陥は回復し、なおかつ、照射されて結晶中に存在するプロトンがドナー化する。
請求項（抜粋）：
その内部にN型領域が形成された半導体基板を備える電力用半導体装置であって、前記N型領域は、所定の荷電粒子が照射された後に、イオン注入法におけるアニール温度よりも低い所定の温度で以て熱処理が施されて形成されることを特徴とする、電力用半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/265 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/744
FI (4件)：
H01L 21/265 Z ,  H01L 21/324 N ,  H01L 29/74 F ,  H01L 29/74 C
Fターム (6件)：
5F005AB01 ,  5F005AC02 ,  5F005AF02 ,  5F005AH01 ,  5F005AH03 ,  5F005AH04
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • シリコン半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-071788   出願人：株式会社日立製作所
  • 特開平4-252078
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-190097   出願人：株式会社三社電機製作所

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