特許
J-GLOBAL ID：200903091131042508
半導体素子の放熱構造およびヒートシンク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-420830
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183582
出願日： 2003年12月18日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】半導体素子内部の半導体チップを損傷させることなく、また電気的特性を劣化されることなく、効率よく放熱できるようにする。【解決手段】ヒートシンク6の取付座7の底面7Aに放熱シート9用の凹部10を設け、この凹部10内に放熱シート9を配置して、ヒートシンク6の取付座7の底面7Aに、パワーFET1のソース電極3をねじ止めする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体素子が固定される取付面に凹部を有する導電性のヒートシンクと、
前記凹部にはめ込まれて前記半導体素子の一部と接触することにより前記半導体素子からの熱を前記ヒートシンクへ伝える放熱シートと、
前記取付面との接触面が第1の電極からなり、前記第1の電極の一部が前記放熱シートと密着するとともに、前記第1の電極の他の一部が前記ヒートシンクの取付面と電気的に接触した状態で、前記放熱シートを挟んで前記取付面に固定されている半導体素子とを備えることを特徴とする半導体素子の放熱構造。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/36 Z
, H01L23/40 E
5F036AA01
, 5F036BB05
, 5F036BB21
, 5F036BC03
出願人引用 (3件)
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実開平5-62048公報
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特開平4-167455号公報
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放熱フィン一体型パワーモジュール
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-007261
出願人：株式会社日立製作所
審査官引用 (1件)
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