特許

J-GLOBAL ID：200903091147934360

発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法

発明者： 森田 英樹 ,  虫上 雅人
出願人/特許権者： 星和電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-055031
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245066
出願日： 2005年02月28日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：

【課題】 発光効率(光の取出効率)を向上することができる発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法を提供する。【解決手段】 発光ダイオード1は、サファイア基板10上に、発光部として機能するための各層が積層されている。サファイア基板10の各面のうち、発光部が形成された面の反対面(裏面)の端部10aが凹凸状に粗面化されている。したがって、発光部からの出射光のうちの端部10aに導光された光は、この端部10aにて散乱させられ、サファイア基板10の外側へ出射される。発光ダイオード1は、例えば、まず複数の発光部を形成した後に、サファイア基板を分割(ダイシング)して個々の発光部に個片化することにより製造される。その場合、まずダイヤモンドスクライブ法、レーザスクライブ法などで基板を切削して溝を形成した後、基板に研磨粒子を噴射することにより、表面を切削して粗面化する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

透明板の一面に発光部が形成された発光ダイオードにおいて、 前記透明板の他面の端部が粗面化されていること を特徴とする発光ダイオード。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (10件)：

5F041AA03 ,  5F041CA13 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA76 ,  5F041CA88

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許第3394488号公報
  

審査官引用 (2件)

• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-045926   出願人：株式会社東芝
• III族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-326194   出願人：豊田合成株式会社