特許
J-GLOBAL ID：200903091156561208
半導体ウエハのチップ加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-102757
公開番号（公開出願番号）：特開2007-281051
出願日： 2006年04月04日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：
【課題】半導体ウエハを裏面研削した後の極薄ウエハ(10〜200μmウエハ厚み)は強度が小さく破損しやすい。また、変形しやすくその後のプロセスの自動化が困難である。【解決手段】裏面研削後に、ウエハ表面保護フィルムを付着させたまま処理トレイに真空吸着させウエハを固定する。処理トレイは真空吸着部を持ち、ウエハ搭載面に真空吸着孔がある。保護フィルムを剥離後、ウエハ切断、チップ移載を行う。ウエハは処理トレイで固定されていて、平坦な状態を維持できるので、処理トレイ吸着後の工程を自動化できる。ウエハの破損もなくなり各種検査もできるので、コストの低いプロセスを構築できる。また、裏面加工歪除去をエッチングトレイを用いて処理可能である。トレイは繰り返し使用できるため、環境負荷も少ない。トレイには情報表示手段を載せ枚葉管理もでき、トレーサビリティ等の製品信頼性も向上する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体素子形成用ウエハの素子を形成しているウエハ表面に表面保護用フィルムを貼合する工程と、
前記ウエハ表面に対向したウエハ裏面を加工して所定のウエハ厚みとする工程と、
前記ウエハ裏面を吸着し、ウエハを処理トレイに搭載する工程と、
処理トレイに搭載された前記ウエハを所望のチップ形状にダイシングする工程と、
前記チップを所定の場所に移載する工程と
を含むことを特徴とする半導体チップの形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304
, H01L 21/301
, H01L 21/683
H01L21/304 631
, H01L21/304 622P
, H01L21/78 Q
, H01L21/68 N
5F031CA02
, 5F031CA13
, 5F031DA01
, 5F031DA11
, 5F031FA01
, 5F031FA07
, 5F031HA13
, 5F031MA22
, 5F031MA33
, 5F031MA34
, 5F031PA02
, 5F031PA18
