特許
J-GLOBAL ID：200903091168060204
半導体ウェハ保護方法及び該保護方法に用いる半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
苗村 新一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-372232
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246345
出願日： 2001年12月06日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェハが厚み200μm以下に薄層化された場合であっても、その破損を防止し得る半導体ウェハ保護方法、及び該保護方法用の半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを提供する。【解決手段】 半導体ウェハの回路形成面に半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを貼着する第一工程、半導体ウェハの回路非形成面を加工する第二工程、及び半導体ウェハの回路非形成面にダイボンティング用接着フィルムを貼着する第三工程を含む半導体ウェハ保護方法であって、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離することなしに第三工程を実施し、且つ、少なくとも一層が融点200°C以上の樹脂から形成された基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された粘着フィルムを使用する半導体ウェハ保護方法、及び該保護方法用の半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハの回路形成面に半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを貼着する第一工程、半導体ウェハの回路非形成面を加工する第二工程、及び半導体ウェハの回路非形成面にダイボンティング用接着フィルムを貼着する第三工程を含む半導体ウェハ保護方法であって、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離することなしに第三工程を実施し、且つ、少なくとも一層が融点200°C以上の樹脂から形成された基材フィルムの片表面に、150°Cにおける貯蔵弾性率が少なくとも1×105Pa、厚みが3〜100μmである粘着剤層が形成された半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを使用することを特徴とする半導体ウェハ保護方法。
IPC (5件)：
H01L 21/304 622
, C09J 7/02
, H01L 21/306
, C09J133/02
, C09J133/06
H01L 21/304 622 J
, C09J 7/02 Z
, C09J133/02
, C09J133/06
, H01L 21/306 B
4J004AA10
, 4J004AB01
, 4J004CA06
, 4J004CB03
, 4J004FA05
, 4J004FA10
, 4J040DF041
, 4J040DF051
, 4J040DF061
, 4J040EE001
, 4J040GA08
, 5F043AA02
, 5F043AA03
, 5F043AA04
, 5F043AA05
, 5F043DD30
, 5F043GG10
