特許

J-GLOBAL ID：200903091165103859

半導体装置の製造方法

発明者： 三沢 信裕 ,  宮嶋 基守 ,  赤星 文彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-041738
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230225
出願日： 2000年02月18日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】 ディッシングやリセスの生じにくい研磨法を用いて半導体装置を製造する方法を提供する。【解決手段】 表面に凹凸を有する半導体基板を準備する。研磨速度の活性化エネルギが0.55eV以上になる研磨剤を用いて、基板の表面を研磨する。

請求項（抜粋）：

表面に凹凸を有する半導体基板を準備する工程と、研磨速度の活性化エネルギが0.55eV以上になる研磨剤を用いて、前記基板の表面を研磨する工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/306 M ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 K

Fターム (27件)：

5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ50 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033XX01 ,  5F033XX10 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043DD16 ,  5F043DD30 ,  5F043GG02 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 研磨剤および研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-055290   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-096502   出願人：日本電気株式会社