エッチングプロセスの条件出し方法および制御方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-172198
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022617
出願日： 2002年06月13日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】非破壊でエッチング後パターンの立体形状を定量的に評価する方法がなかった。このため、エッチング条件出しに多くの時間とコストがかかっていた。また、従来の寸法測定のみでは、立体形状の異常を検知することができず、エッチングプロセス制御が困難であった。【解決手段】SEM画像の信号量変化を利用して、エッチング加工ステップに対応したパターンの立体形状情報を算出することにより、立体形状を定量的に評価する。また、えられた立体形状情報に基づいて、エッチングプロセス条件出しやプロセス制御を行う。【効果】非破壊で、エッチング後パターンの立体形状を定量的に評価することが可能となる。また、エッチングプロセスの条件出しの効率化がはかれる。さらに、エッチングプロセスの監視あるいは制御を行うことにより、安定なエッチングプロセスを実現できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

収束させた電子線を測定試料上に走査しながら照射する電子線照射手段と、上記電子線照射により試料から発生した2次電子を検出する信号検出手段と、該信号検出手段からの信号を演算処理する信号演算処理手段を有し、上記信号検出手段により得られた信号波形を、信号量の変化量に基づいて複数の領域に分割し、該分割された領域の大きさにより上記測定試料の立体形状を評価する機能を有することを特徴とする立体形状測定装置。

IPC (2件)：

H01L21/66 , H01L21/3065

FI (2件)：

H01L21/66 Q , H01L21/302 103

Fターム (18件)：

4M106AA01 , 4M106BA02 , 4M106CA48 , 4M106CA50 , 4M106CA51 , 4M106DH03 , 4M106DH08 , 4M106DH24 , 4M106DH33 , 4M106DJ13 , 4M106DJ15 , 4M106DJ20 , 4M106DJ38 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA08 , 5F004CB05 , 5F004DB02

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平4-051441
半導体装置製造方法及びその半導体装置製造方法で製造された半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-169914 出願人：株式会社日立製作所
薄膜製品の検査装置およびそれを用いた薄膜製品の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-277700 出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (5件)

特開平4-051441
特開平4-051441
特開平4-051441

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