バンプボンディング方法およびバンプボンディング構造

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-258478
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102514
出願日： 1995年10月05日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：

【要約】【課題】接合作業工数を少なくし、接続体の表面にフラックスを付着させず、接続体に加えられる温度、加重を低くする。【解決手段】多層セラミック基板2の電極端子4に接続してAuSnに対して濡れ性および耐食性を有する金属膜31を形成し、金属膜31上にSn膜32を形成し、半導体素子5の電極端子12にAuバンプ33を形成し、電極端子4と電極端子12との位置合わせをして、Auバンプ33とSn膜32とを密着させ、還元雰囲気中あるいは不活性雰囲気中で約280°Cに加熱すると、Auバンプ33とSn膜32との間にAuSn共晶反応が起こり、Auバンプ33と金属膜31との間にAuSn共晶層34が形成され、電極端子4と電極端子12とが電気的、機械的に接合される。

請求項（抜粋）：

接続体の第1の接続部と被接続体の第2の接続部とをバンプを介して直接接続するバンプボンディング方法において、上記第1、第2の接続部のいずれか一方にAuバンプを形成し、上記第1、第2の接続部の他方にSn膜を形成し、上記Auバンプと上記Sn膜とを密着して加熱することを特徴とするバンプボンディング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/60

FI (2件)：

H01L 21/60 311 R , H01L 21/60 311 S

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭54-152961
特開昭55-165646
特開昭57-143835

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