特許
J-GLOBAL ID：200903091235294371
レジストパターンの形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-090297
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288105
出願日： 1998年04月02日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：
【要約】【課題】 ポジ型レジストを用いてパターンを形成する際、膜減りを最小限に抑えながら表面難溶化層の発生を抑制し、レジスト性能の向上及び寸法制御性の向上を図る。【解決手段】 基板上にポジ型レジスト膜を形成し、そのレジスト膜にパターニング露光してから露光後ベークを施し、次いでそのレジスト膜を酸性溶液と接触させた後、現像処理することによりパターンを形成する。この方法は特に、樹脂成分と酸発生剤を含有する化学増幅型のポジ型レジストからパターンを形成する際に有効である。
請求項（抜粋）：
基板上にポジ型レジスト膜を形成し、該レジスト膜にパターニング露光してから露光後ベークを施し、次いで該レジスト膜を酸性溶液と接触させた後、現像処理することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (2件)：
G03F 7/38 511
, G03F 7/039 601
G03F 7/38 511
, G03F 7/039 601
