特許
J-GLOBAL ID：200903027478391111

レジストパターンの形成方法

発明者：
池 田 隆 洋

池 田 隆 洋 について

, 
新 山 広 美

新 山 広 美 について

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西 村 英 二

西 村 英 二 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-087726
公開番号（公開出願番号）：特開平9-251210
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：
【要約】【課題】 近接効果の影響を低減すした、より目標寸法に近く、寸法差の少ない極微細レジストパターンを得ることができるパターン形成方法の提供。【解決手段】 (1)被加工基板上に化学増幅型レジスト層をその溶液ないし分散液から形成させる工程、(2)(1)の基板を加熱して使用された溶剤を除去する工程、(3)(2)の基板に対してパターン化された放射線を照射する工程、および(4)(3)の基板を現像する工程、からなるパターン形成方法において、工程(1)と工程(4)の間に基板を酸性雰囲気下に保持して、(4)の現像の際にパターンを形成しないレベルの酸をレジスト層中に存在するに至らせる工程を含むレジストパターンの形成方法。
請求項（抜粋）：
(1)被加工基板上に化学増幅型レジスト層をその溶液ないし分散液から形成させる工程、(2)(1)の基板を加熱して使用された溶剤を除去する工程、(3)(2)の基板に対してパターン化された放射線を照射する工程、および(4)(3)の基板を現像する工程、からなるパターン形成方法において、工程(1)と工程(4)の間に基板を酸性雰囲気下に保持して、(4)の現像の際にパターンを形成しないレベルの酸をレジスト層中に存在するに至らせる工程を含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (6件)：
G03F 7/38 511 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027
FI (7件)：
G03F 7/38 511 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/30 565 ,  H01L 21/30 568
引用特許：
審査官引用 (10件)
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