特許

J-GLOBAL ID：200903091244220402

成膜装置および製造装置

発明者： 大原 宏樹
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-235763
公開番号（公開出願番号）：特開2005-097730
出願日： 2004年08月13日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】 蒸着を行う製造装置において、蒸着材料が詰まることなく、長時間安定した蒸着成膜を行うことを目的とする。【解決手段】蒸着装置の蒸着源に坩堝を昇降できる駆動部を設ける。坩堝の開口部で蒸着材料の詰まりが生じた場合、坩堝を下方へ移動させて蒸着源の内部に閉じこめる。蒸着源のヒータが開口部を効率良く加熱することができるようになるため、開口部に詰まっていた蒸着材料が蒸発し、詰まりを解消することができる。その後、坩堝を上方へ移動させ、加熱して蒸着を行う。長時間に渡って大気解放することなく蒸着成膜を行うことが可能となり、有機EL素子の生産性の向上を図ることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板に対向して配置した蒸着源から蒸着材料を蒸着させて前記基板上に成膜を行う成膜室を有し、 前記成膜室には、 内周方向に加熱する中空円筒状の加熱ヒータと、該円筒状の加熱ヒータ内に収納する容器と、該容器を載置する支持台とからなる蒸着源と、 前記容器を前記加熱ヒータに対して相対的に上下移動させる駆動手段とを有することを特徴とする成膜装置。

IPC (3件)：

C23C14/24 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

FI (4件)：

C23C14/24 A ,  C23C14/24 C ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A

Fターム (16件)：

3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA62 ,  4K029BC00 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029DB06 ,  4K029DB12 ,  4K029DB13 ,  4K029DB15 ,  4K029DB18 ,  4K029KA09

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 成膜装置及び成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-394259   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 成膜装置およびそのクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-128812   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (1件)

• 特開昭64-025973