特許
J-GLOBAL ID：200903091251900699
半導体集積回路装置
出願人/特許権者：
株式会社日立製作所
株式会社日立製作所 について
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-147665
公開番号（公開出願番号）：特開2000-339047
出願日： 1999年05月27日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【課題】 低しきい値電圧のMOSトランジスタを含むCMOS回路の基板電位を制御してサブスレッショルド電流を低減する回路において、CMOS回路の誤動作を防止し安定動作を実現することにより、高速、低消費電力、信頼性を満たすマイクロプロセッサ等の半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 半導体基板上に構成されたMOSトランジスタを含む主回路(LOG)と、基板に印加される電圧を制御する基板電位制御回路(VBC)と、主回路(LOG)の基板に印加される電圧を制御する基板電位変換回路(SWCELL)とを有し、基板電位制御回路(VBC)から出力される制御信号(Φp及びΦn)は基板電位変換回路(SWCELL)のを構成するMOSトランジスタのゲートに入力され、また基板電位制御回路(VBC)から出力される基板電位(Vbp及びVbn)は基板電位変換回路(SWCELL)を経て主回路(LOG)を構成するMOSトランジスタの基板に入力されるように構成されている。
請求項（抜粋）：
少なくとも1つのCMOS回路と、基板電位変換回路と制御回路と電圧変換回路を含み、上記電圧変換回路が発生した電圧を上記制御回路に供給し、上記制御回路は上記電圧を用いて上記CMOS回路の基板電位を変化させることのできる半導体集積回路装置において、上記電圧変換回路が少なくとも2種類の第1と第2の電圧を発生することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (4件)：
FI (3件)：
Fターム (42件)：
5F038BB02
, 5F038BG02
, 5F038BG03
, 5F038BG05
, 5F038BG09
, 5F038CD15
, 5F038DF01
, 5F038DF04
, 5F038DF08
, 5F038DF14
, 5F038DF16
, 5F038EZ20
, 5H420BB12
, 5H420CC02
, 5H420DD02
, 5H420EA14
, 5H420EA24
, 5H420EA39
, 5H420EA42
, 5H420EA47
, 5H420EB01
, 5H420EB15
, 5H420EB37
, 5H420NB02
, 5H420NB12
, 5H420NB18
, 5H420NC16
, 5H420NC33
, 5H420NE27
, 5H420NE28
, 5J056AA00
, 5J056BB02
, 5J056BB17
, 5J056BB40
, 5J056BB57
, 5J056CC00
, 5J056CC05
, 5J056DD13
, 5J056DD29
, 5J056EE04
, 5J056FF07
, 5J056KK01
引用特許：
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