特許
J-GLOBAL ID：200903091261995027

半導体装置

発明者：
林 哲也

林 哲也 について


出願人/特許権者：
日産自動車株式会社

日産自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-336501
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142690
出願日： 2001年11月01日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 基本構造のセルサイズを変えずにサステイン電圧を向上させることのできる半導体装置を提供する。【解決手段】ドレイン領域である一導電型の半導体基板2の一主面に形成され、互いに平行に形成された複数の第1の溝と、各第1の溝の長手方向の略中央部に、この第1の溝4に対して略直交して形成された第2の溝14と、互いに平行な各第1の溝4に挟まれる、前記一主面に形成された同一導電型のソース領域Sと、第1の溝4内に形成され、絶縁膜5により前記ドレイン領域Dと絶縁され、前記ソース領域Sと同電位とされた第1の固定電位絶縁電極4と、ドレイン領域Dの一部であって、前記固定電位絶縁電極4により挟み込まれたチャネル領域7と、一主面、絶縁膜5、及びドレイン領域Dと接触し、且つ、ソース領域Sには接触せず、反対導電型で複数個設置されたゲート領域Gと、を有する。
請求項（抜粋）：
ドレイン領域である第一導電型の半導体基体の一主面に、所定の間隔を開けて形成された少なくとも2つの第二導電型のゲート領域と、前記半導体基体の一主面に、前記ゲート領域の間に、かつ前記ゲート領域と接するように等間隔をなして互いに平行に配置された複数の第1の溝と、隣接する前記第1の溝に挟まれた前記半導体基体の一主面に、隣接する前記ゲート領域から等距離の位置に形成された少なくとも2つの第一導電型のソース領域と、前記半導体基体の一主面に、前記第1の溝と交叉し、隣接する前記ソース領域の間に形成された第2の溝と、前記第1の溝の内部に絶縁膜によって前記ドレイン領域及び前記ゲート領域とは絶縁されて形成され、前記ソース領域とは同電位に保たれた固定電位絶縁電極と、前記ソース領域に接する前記ドレイン領域の一部であって、前記固定電位絶縁電極によって挟み込まれたチャネル領域と、を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78 654 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808
FI (4件)：
H01L 29/78 654 C ,  H01L 29/78 652 F ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/80 C
Fターム (5件)：
5F102FB10 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD04 ,  5F102GS07
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-220603   出願人：日産自動車株式会社
  • 半導体装置とその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-189933   出願人：日産自動車株式会社

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