特許
J-GLOBAL ID:200903091274936313
純水製造装置および純水製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
重野 剛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-218471
公開番号(公開出願番号):特開2008-036605
出願日: 2006年08月10日
公開日(公表日): 2008年02月21日
要約:
【課題】原水を逆浸透膜処理装置に導入し、該逆浸透膜処理装置の透過水を電気再生式脱イオン装置又はイオン交換装置に供給して処理するに当たり、後段の脱イオン装置への給水のシリカの負荷を軽減して、安定かつ効率的に、シリカ濃度の低い純水を製造する。【解決手段】逆浸透膜処理装置が、高分子を主成分とする阻止率向上剤によって処理された逆浸透膜を備える純水製造装置。逆浸透膜処理装置が、その一次側に高分子を主成分とする阻止率向上剤を供給するための阻止率向上剤供給手段を有する純水製造装置。定期的に、又は逆浸透膜処理装置の阻止率が低下した際に、高分子を主成分とする阻止率向上剤で逆浸透膜処理装置の逆浸透膜を処理する工程を有する純水製造方法。【選択図】図1
請求項(抜粋):
逆浸透膜処理装置と、電気再生式脱イオン装置又はイオン交換装置とを有し、該逆浸透膜処理装置の透過水を該電気再生式脱イオン装置又はイオン交換装置に供給するようにした純水の製造装置において、
該逆浸透膜処理装置は、高分子を主成分とする阻止率向上剤によって処理された逆浸透膜を備えることを特徴とする純水製造装置。
IPC (6件):
B01D 61/10
, B01D 61/42
, B01D 61/58
, C02F 1/44
, C02F 1/42
, C02F 1/469
FI (7件):
B01D61/10
, B01D61/42
, B01D61/58
, C02F1/44 J
, C02F1/42 A
, C02F1/42 B
, C02F1/46 103
Fターム (31件):
4D006GA03
, 4D006GA18
, 4D006KA01
, 4D006KA72
, 4D006KB11
, 4D006KB12
, 4D006KB14
, 4D006KB17
, 4D006KC02
, 4D006KC16
, 4D006KC27
, 4D006KD11
, 4D006KD17
, 4D006KD30
, 4D006KE13P
, 4D006MB06
, 4D006PB02
, 4D006PB23
, 4D006PC02
, 4D025AA04
, 4D025DA01
, 4D025DA02
, 4D025DA05
, 4D061DA01
, 4D061DB13
, 4D061EA09
, 4D061EB04
, 4D061EB13
, 4D061FA03
, 4D061FA06
, 4D061FA09
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (11件)
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