特許

J-GLOBAL ID：200903091283935079

半導体基板の製造方法

発明者： 李 ▲きょう▼ 烈
出願人/特許権者： 三星コーニング株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-059204
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299267
出願日： 2002年03月05日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】 ベース基板を準備する第1段階と、前記準備されたベース基板上に第1緩衝層を形成する第2段階と、前記第1緩衝層上に半導体層を形成する第3段階と、前記ベース基板を分離する第4段階とを含む半導体基板の製造方法である。

請求項（抜粋）：

ベース基板を準備する第1段階と、前記ベース基板上に第1緩衝層を形成する第2段階と、前記第1緩衝層上に半導体層を形成する第3段階と、前記ベース基板を分離する第4段階とを含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D

Fターム (22件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EB01 ,  4G077EF03 ,  4G077EF04 ,  4G077FJ03 ,  4G077TB03 ,  4G077TC14 ,  4G077TC16 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC19 ,  5F045AF02 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 気相エピタキシャル成長法、半導体基板の製造方法、半導体基板及びハイドライド気相エピタキシー装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-027009   出願人：日本電気株式会社
• 半導体積層構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-103391   出願人：名古屋工業大学長, 日本酸素株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-124610   出願人：サンケン電気株式会社
• 窒化ガリウム系半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-190968   出願人：株式会社東芝