特許
J-GLOBAL ID：200903091293169692

シリコン上に集積された強誘電体キャパシタ用の電極構造および作成方法

発明者：
ドーテ,アニル,エム.

ドーテ,アニル,エム. について

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ラメシュ,ラマムーアシー

ラメシュ,ラマムーアシー について


出願人/特許権者：
テルコーディア テクノロジーズ インコーポレイテッド

テルコーディア テクノロジーズ インコーポレイテッド について

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ユニバーシティ オブ メリーランド

ユニバーシティ オブ メリーランド について


代理人 (1件)： 谷 義一 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-518425
公開番号（公開出願番号）：特表2000-509200
出願日： 1996年12月17日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：
【要約】強誘電体層(50)を間に挟む2つの金属酸化物電極(46、52)からなる強誘電体スタックが好ましくはTiN(42)の介在バリア層を備えたシリコン基板(40)上に製作される、強誘電体キャパシタ構造およびその作成方法である。一実施例では、強誘電体スタックの結晶配向性成長をもたらす十分高い温度でTiNと下部金属酸化物電極との間で白金層(44)が成長する。他の実施例では、白金層が完全に除去され、下部電極(46)がTiN(42)上で直接成長している。電極で使用する従来の導電性金属酸化物は酸化ランタンストロンチウムコバルト(LSCO)であるが、酸化ランタンニッケルは強誘電体セルで良好な電気特性および寿命特性を提供する。あるいは、この電極は、酸化ネオジム(NdO)などの岩塩金属酸化物から形成することができる。
請求項（抜粋）：
基板と、 前記シリコン基板の上に形成された耐火金属とアニオンとの導電性化合物を含むバリア層と、 前記バリア層のすぐ上に形成された白金層と、 強誘電体層と前記強誘電体層を間に挟む2つの金属酸化物層とを含み、前記白金層のすぐ上に形成された強誘電体スタックと、 を含むことを特徴とする強誘電体キャパシタ。
IPC (7件)：
H01L 27/10 451 ,  H01G 2/06 ,  H01G 4/33 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108
FI (5件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01G 1/035 E ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C
引用特許：
審査官引用 (3件)

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