特許
J-GLOBAL ID：200903091304638983
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-253992
公開番号（公開出願番号）：特開2000-090680
出願日： 1998年09月08日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】本発明は、不揮発性メモリにおいて、フローティングゲートとソースとの間にオーバーラップ部分を設けずに、チャネル領域とフローティングゲートとの間でトンネル電流を流して消去を行うことを特徴とする。【解決手段】複数のメモリセルを有するメモリセルアレイ11、12と、メモリセルのコントロールゲートに接続されたワード線と、メモリセルのドレインに接続されたビット線と、メモリセルのソースに共通に接続され、かつメモリセルが形成されているウエル領域に接続されたソース線と、メモリセルに対してデータを書き込むための書き込みバッファ23と、メモリセルからデータを読み出すセンスアンプ22と、メモリセルのデータを消去するためのコントロールゲートドライバ18、19及びウエルドライバ20、21とを具備している。
請求項（抜粋）：
コントロールゲート、フローティングゲート、ソース及びドレインをそれぞれ有する複数のメモリセルと、上記複数のメモリセルのコントロールゲートに接続された複数のワード線と、上記複数のメモリセルのドレインに接続された複数のビット線と、上記複数のメモリセルのソースに共通に接続され、かつ上記複数のメモリセルが形成されている半導体領域に接続されたソース線と、上記複数のメモリセルに対してデータを書き込むための書き込み手段と、上記複数のメモリセルからデータを読み出すための読み出し手段と、上記複数のメモリセルのデータを消去するための消去手段とを具備したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
Fターム (8件)：
5B025AA03
, 5B025AB01
, 5B025AC01
, 5B025AD03
, 5B025AD04
, 5B025AD05
, 5B025AD08
, 5B025AE00
