特許
J-GLOBAL ID：200903091311015983

窒化ガリウム系半導体素子

発明者：
小早川 真人

小早川 真人 について

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友澤 秀喜

友澤 秀喜 について

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三木 久幸

三木 久幸 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 寺田 實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-057478
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286318
出願日： 2005年03月02日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】 窒化ガリウム系半導体素子における静電耐圧の不安定さを、できるだけ抵抗の上昇を抑えながら、克服することを目的とする。【解決手段】 p型不純物を有しp型の伝導性を示す窒化ガリウム系半導体層(p型層)を備えてなる窒化ガリウム系半導体素子において、p型層は表層部とそれより内部の深底部からなり、深底部は、p型不純物との伝導性を失わない範囲で水素とを共存させた領域となっている、ことを特徴とするp型層を含む窒化ガリウム系半導体素子。 上記深底部におけるp型不純物に対する水素の原子濃度の比率は略1:1が好ましく、また深底部の厚さはp型層の厚さの40〜99.9%が好ましい。更にp型層の表層部における水素の含有量を深底部の含有量未満、好ましくは2/3以下とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
p型不純物を含有しp型の伝導性を示す窒化ガリウム系化合物半導体層(p型層)を備えてなる窒化ガリウム系半導体素子に於いて、p型層は表層部とそれより内部の深底部からなり、該深底部はp型不純物と水素とを共存させた領域となっている、ことを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (12件)：
5F041AA23 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F041CA92
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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