特許

J-GLOBAL ID：200903091312220416

処理装置及び処理方法

発明者： 森本 保
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 芦田 哲仁朗 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-253734
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077095
出願日： 1999年09月08日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】 被処理体のシェーディングダメージを抑えるとともに、効率的な処理を行うことができる処理装置及びその処理方法を提供する。【解決手段】 マグネトロン反応性イオンエッチング装置1は、半導体装置3を挟んで対向する電極ユニットと、電極ユニットに電界を形成する高周波電源9と、ダイポールリング磁石23と、切換機構25とを備えている。ダイポールリング磁石23は、電界方向と直交する成分を持つ又は半導体装置3と平行な磁場を形成する第1磁場状態と、半導体装置3の表面近傍の磁場強度が電子の平均自由行程よりラーマ半径が大きくなるような磁場となる第2磁場状態との2つの磁場状態を形成する。そして、制御装置26に制御された切換機構25により所定のタイミングで第1磁場状態と第2磁場状態とを切り換える。

請求項（抜粋）：

処理容器と、前記処理容器内に配置され、被処理体を挟んで対向する第1電極と第2電極とから構成された電極ユニットと、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理容器内のガスを排気するガス排気手段と、前記電極ユニットに高周波電力を供給し、前記第1電極と前記第2電極との間に電界を形成する電界形成手段と、前記電極ユニットに前記電界方向と直交する成分を持つ又は前記被処理体と平行な磁場を形成する第1磁場状態と、前記被処理体の表面近傍の磁場強度が電子の平均自由行程よりラーマ半径が大きくなるような磁場となる第2磁場状態との2つの磁場状態を形成する磁場形成手段と、前記第1磁場状態と前記第2磁場状態とを切り換える磁場状態切換手段とを備えることを特徴とする処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205

Fターム (13件)：

5F004AA16 ,  5F004BA13 ,  5F004BB07 ,  5F004BB11 ,  5F004CA09 ,  5F045AA08 ,  5F045BB16 ,  5F045EH16 ,  5F045GB15 ,  5F103AA08 ,  5F103BB14 ,  5F103BB56 ,  5F103RR10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• プラズマの制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-074718   出願人：株式会社芝浦製作所
• エッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-116154   出願人：日本真空技術株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-034110   出願人：株式会社東芝, 東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社