n型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上島淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-240839
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068431
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】各種のn型化合物半導体基板の表面にオーム性電極を形成する。【解決手段】n型化合物半導体の表面にオーム性電極を形成するためのn型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方法において、n型化合物半導体の表面にレーザー光を照射する第1のステップと、第1のステップにおいてレーザー光を照射されたn型化合物半導体の表面の領域に導体を形成する第2のステップとを有する。

請求項（抜粋）：

n型化合物半導体の表面にオーム性電極を形成するためのn型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方法において、n型化合物半導体の表面にレーザー光を照射する第1のステップと、前記第1のステップにおいて前記レーザー光を照射された前記n型化合物半導体の表面の領域に導体を形成する第2のステップとを有するn型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方法。

Fターム (8件)：

4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104AA06 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD22 , 4M104DD34 , 4M104HH15

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭57-143825
特開昭59-098528
半導体の製造方法及びその製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-162057 出願人：松下電器産業株式会社

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