特許
J-GLOBAL ID：200903091338993650

超格子構造体及びそれを用いた半導体素子

発明者：
角野 雅芳

角野 雅芳 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： ▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-248199
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092932
出願日： 1995年09月27日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】 同一基板上にエピタキシャル成長可能な複数の半導体素子層と金属層とを交互に積層させ、電気的にオーミックに直列接続させた半導体素子を得る。【解決手段】 NiIn0.24Al0.76ウエル層3とn-In0.53Ga0.47Asバリア層4とを交互に組合せて積層し、超格子構造体を形成する。このNiIn0.24Al0.76ウエル層3の真空準位と、n-In0.53Ga0.47Asバリア層4の伝導帯11と価電子帯13とのエネルギ準位、あるいはNiIn0.24Al0.76ウエル層3とn-In0.53Ga0.47Asバリア層4とにおける電子16の有効質量に対してNiIn0.24Al0.76ウエル層3とn-In0.53Ga0.47Asバリア層4との厚さを、透過電子波14が位相を強め合うようにする。
請求項（抜粋）：
金属間化合物結晶と半導体結晶とを交互に組合せてなることを特徴とする超格子構造体。
IPC (3件)：
H01S 3/18 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/68
FI (3件)：
H01S 3/18 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/68
引用特許：
審査官引用 (6件)
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