レジスト材料

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-071337
公開番号（公開出願番号）：特開平7-049569
出願日： 1994年03月17日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】次式(1)で示されるオニウム塩、アルカリ可溶性樹脂、及び次式(2)で示される溶解阻止剤を含有してなるポリマーを有機溶媒に溶解してなることを特徴とするレジスト材料。 (R<SP>1</SP>)<SB>n</SB>MX ...(1)例(式中、R<SP>2</SP>は水素原子、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ基を表し、R<SP>3</SP>は水素原子又はメチル基を表し、R<SP>4</SP>は水素原子、COOH基又はCOOt-Bu基を表し、t-Buはt-ブチル基である。m,x,y,zは、0≦m≦0.9、0<x≦0.9、0<y≦0.9、0≦z≦0.5、m+x+y+z=1であり、式(2)のポリマーの重量平均分子量は500〜10,000である。)【効果】レジスト材料は、ポジ型レジストとして高エネルギー線に感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性が優れている。

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)で示されるオニウム塩、 (R<SP>1</SP>)<SB>n</SB>MX ...(1)(式中、R<SP>1</SP>は同種又は異種の非置換又は置換芳香族基を示し、Mはスルホニウム又はヨードニウムを示し、Xはp-トルエンスルホネート又はトリフルオロメタンスルホネートを示す。nは2又は3を示す。)(B)アルカリ可溶性樹脂、(C)下記一般式(2)で示されるポリマーからなる溶解阻止剤【化1】(式中、R<SP>2</SP>は水素原子、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ基を表し、R<SP>3</SP><SB></SB>は水素原子又はメチル基を表し、R<SP>4</SP>は水素原子、COOH基又はCOOt-Bu基を表し、t-Buはt-ブチル基である。m,x,y,zは、0≦m≦0.9、0<x≦0.9、0<y≦0.9、0≦z≦0.5、m+x+y+z=1であり、式(2)のポリマーの重量平均分子量は500〜10,000である。)を含有してなることを特徴とするレジスト材料。

IPC (6件)：

G03F 7/039 501 , C08F 20/06 MLQ , C08F 20/18 MLZ , C08F212/14 MJW , G03F 7/004 503 , H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (3件)

ポジ型レジスト材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-321540 出願人：日本電信電話株式会社, 信越化学工業株式会社
パターン形成材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-275149 出願人：三菱電機株式会社
特開平3-289658

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