特許
J-GLOBAL ID：200903091385954477
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-302329
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127039
出願日： 1999年10月25日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】シリコン基板を含むシリコン膜の上に窒化膜を有する素子構造では、コンタクト開口のための窒化膜除去にCHF3/O2/Ar混合ガス等を用い、窒化膜エッチングにおける抜け性を上げるため酸素流量を増加させるとシリコン膜と窒化膜との選択性が低下し、シリコン膜の削れのみならず、レジストとの選択性の低下、エッチングチャンバー側壁のデポの剥がれ等が問題となっていた。【解決手段】窒化膜4のエッチングにC4F8/CH2F2/Ar/O2混合ガスを用いると、窒化膜4のエッチングが促進されると共に、CHxFyガスはデポジション効果が高いガスであるため、シリコン基板1に対しての選択性が向上し、更に、窒化膜4の上を覆う層間酸化膜5のエッチングガス系とほぼ同等のエッチングガス系で連続してエッチングできるため、安定した、生産性の良いエッチングが可能となる。
請求項（抜粋）：
基板の上方に、下層が窒化膜、上層が酸化膜からなる積層膜を形成し、第1エッチングガスを用いて前記酸化膜を選択的にエッチング除去して前記酸化膜に開口部を形成し、第2エッチングガスを用いて前記開口部を通して前記窒化膜をエッチング除去する半導体装置の製造方法であって、前記第2エッチングガスは、CxFyを主反応ガスとした混合ガスからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/316
H01L 21/316 M
, H01L 21/302 F
5F004BA04
, 5F004BB11
, 5F004DA00
, 5F004DA15
, 5F004DA16
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DA30
, 5F004DB00
, 5F004DB03
, 5F004EA28
, 5F004EB01
, 5F058BC02
, 5F058BC07
, 5F058BD01
, 5F058BH12
