特許

J-GLOBAL ID：200903091395622219

高耐圧半導体装置

発明者： 今井 聖支 ,  四戸 孝
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-332819
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101255
出願日： 2003年09月25日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】 SiCの高耐圧半導体装置において、超低オン抵抗の優れた性能を得るとともに、スイッチング損失を大幅に引き下げること。【解決手段】 高抵抗炭化珪素層102と、低抵抗の第1導電型の第1の炭化珪素層105a、105b、105cと、この層に隣接して設けられたトレンチ104a、104bと、トレンチ底面に設けられた第2導電型の第1の炭化珪素領域106a、106bと、トレンチ側面に設けられた絶縁層パターン115と、低抵抗の第2の炭化珪素層101と、Ni2Si及びNiSiを主成分とする層116bを有するソース電極109a、109b、109cと、Ni2Si及びNiSiを主成分とする層116aを有するゲート電極107a、107bと、ドレイン電極108とを具備することを特徴とする高耐圧半導体装置。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の高抵抗炭化珪素層と、前記高抵抗炭化珪素層の一方の面上に部分的に設けられ前記高抵抗炭化珪素層よりも低抵抗の第1導電型の第1の炭化珪素層と、前記第1の炭化珪素層を挟んで前記高抵抗炭化珪素層に設けられたトレンチと、前記トレンチの底面に設けられた第2導電型の第1の炭化珪素領域と、前記トレンチの側面に設けられた絶縁層パターンと、前記高抵抗炭化珪素層の他方の面に設けられ前記高抵抗炭化珪素層よりも低抵抗の第2の炭化珪素層と、前記第1の炭化珪素層上に設けられたNi2Si及びNiSiを主成分とする層を有するソース電極と、前記第1の炭化珪素領域上に設けられたNi2Si及びNiSiを主成分とする層を有するゲート電極と、前記第2の炭化珪素層に設けられたドレイン電極とを具備することを特徴とする高耐圧半導体装置。

IPC (9件)：

H01L21/337 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/732 ,  H01L29/74 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808

FI (8件)：

H01L29/80 C ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/80 V ,  H01L29/74 M ,  H01L29/72 P ,  H01L27/08 321F ,  H01L29/80 S

Fターム (81件)：

4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB21 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD43 ,  4M104DD84 ,  4M104FF01 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104GG06 ,  4M104GG07 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG11 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F003AZ01 ,  5F003BA29 ,  5F003BB02 ,  5F003BB04 ,  5F003BB08 ,  5F003BB90 ,  5F003BC04 ,  5F003BC08 ,  5F003BE04 ,  5F003BH06 ,  5F003BH07 ,  5F003BH08 ,  5F003BM01 ,  5F003BP12 ,  5F003BP23 ,  5F003BP31 ,  5F003BP94 ,  5F003BZ02 ,  5F003BZ03 ,  5F005AD02 ,  5F005AE07 ,  5F005AF02 ,  5F005AH02 ,  5F005BA02 ,  5F005CA05 ,  5F005GA01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA10 ,  5F048BA14 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F102FA01 ,  5F102FA03 ,  5F102FB01 ,  5F102GB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC03 ,  5F102GC09 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02 ,  5F102GN02 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR11 ,  5F102GS03 ,  5F102GT05 ,  5F102GT08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 接合型電界効果半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-330084   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-366533   出願人：新日本無線株式会社
• オーミック電極構造体、その製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-282532   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 日産自動車株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-261957   出願人：株式会社東芝