特許
J-GLOBAL ID：200903091403420400
タングステンシリサイド蒸着工程における微粒子汚染物を除去するための方法及び装置
出願人/特許権者：
三星電子株式会社
三星電子株式会社 について
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-140817
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156354
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：
【要約】【課題】 タングステンシリサイド蒸着工程における微粒子汚染物が除去できる新しい形態の装置及びその方法を提供する。【解決手段】 本発明による、ガスラインを通して供給されるガスを用いてチャンバで工程を進める半導体製造工程で微粒子汚染物を除去するための方法は、前記ガスラインをクリーニングする段階と、前記チャンバをクリーニングする段階とを含み、前記ガスラインに残っている汚染物と前記チャンバ内に残っている汚染物とを除去することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ガスラインを通して供給されるガスを用いてチャンバで工程を進める半導体製造工程で微粒子汚染物を除去するための方法において、前記ガスラインをクリーニングする段階と、前記チャンバをクリーニングする段階とを含み、前記ガスラインに残っている汚染物と前記チャンバ内に残っている汚染物とを除去することを特徴とする微粒子汚染物を除去するための方法。
IPC (3件)：
FI (3件)：
引用特許：
出願人引用 (4件)
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プラズマクリーニング装置
公報種別：公開公報 出願番号：特願平9-237459 出願人：シャープ株式会社 -
CVD成膜方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願平8-354603 出願人：東京エレクトロン株式会社 -
三ふっ化塩素による処理チャンバクリーニング方法および装置
公報種別：公開公報 出願番号：特願平10-043496 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
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