特許

J-GLOBAL ID：200903091426966388

半導体ウェーハの検査方法および検査装置

発明者： 芳賀 一実
出願人/特許権者： 株式会社ニュークリエイション
代理人 (1件)： 荒船 良男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-214845
公開番号（公開出願番号）：特開平10-062355
出願日： 1996年08月14日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 簡単に、かつ精度良く、しかも表面層・内部層・裏面層を区別して欠陥検査ができる、検査方法および検査装置を提供する。【解決手段】 波長可変レーザーからの光束を表面照射光束と裏面照射光束とに2分けし、波長を変化させた前記表面照射光束を半導体ウェーハの表面に、波長を変化させた前記裏面照射光束を前記半導体ウェーハの裏面に当てると共に、該表面照射光束による前記半導体ウェーハの表面および表面近くでの反射光を主に検出する一方で、該裏面照射光束による前記半導体ウェーハの透過光を主に検出することにより、前記半導体ウェーハの欠陥を検出するようにした。

請求項（抜粋）：

波長可変レーザーからの光束を表面照射光束と裏面照射光束とに2分けし、波長を変化させた前記表面照射光束を半導体ウェーハの表面に、波長を変化させた前記裏面照射光束を前記半導体ウェーハの裏面に当てると共に、該表面照射光束による前記半導体ウェーハの表面および表面近くでの反射光を主に検出する一方で、該裏面照射光束による前記半導体ウェーハの透過光を主に検出することにより、前記半導体ウェーハの欠陥を検出するようにしたことを特徴とする半導体ウェーハの検査方法。

IPC (2件)：

G01N 21/88 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

G01N 21/88 E ,  H01L 21/66 N ,  H01L 21/66 J

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-149029
  
• レーザ走査装置および画像形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-158086   出願人：三井金属鉱業株式会社
• 検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-162848   出願人：株式会社ニュークリエイション
• 特開昭59-149029