特許
J-GLOBAL ID：200903091489477409
シリコンウエーハ及び結晶育成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
押田 良久 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-062283
公開番号（公開出願番号）：特開平11-240792
出願日： 1998年02月25日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】 ウエーハ厚を厚くすることなく、且つデバイスの電気的特性及び歩留りに悪影響を及ぼすことなく、ウエーハ強度を上げる。【解決手段】 CZ法を用いてシリコンの単結晶9を育成する。結晶引き上げ路の外側に配置される逆錐状の熱遮蔽部材6の下端部の断熱性能を、他の部分の断熱性能より強化して、育成結晶の固液界面近傍を局所的に急冷する。OSFリングが結晶径方向の1/2位置より内側に生じるか、若しくは結晶中心部で消滅する低速条件で、単結晶9を引き上げる。OSFリングの外側に発生する転位クラスタの平均粒度が100μm以下に微細化され、ウエーハの機械的強度が上がる。
請求項（抜粋）：
CZ法を用い、且つOSFリングが結晶径方向の1/2位置より内側に生じるか若しくは結晶中心部で消滅する低速育成工程を経て製造されたシリコンウエーハであり、且つ転位クラスタの平均粒度が100μm以下であることを特徴とするシリコンウエーハ。
IPC (3件)：
C30B 29/06
, C30B 15/00
, H01L 21/02
C30B 29/06 A
, C30B 15/00 Z
, H01L 21/02 B
