特許

J-GLOBAL ID：200903077081691426

シリコン単結晶およびその製造方法、評価方法

発明者： 中居 克彦 ,  長谷部 政美 ,  太田 国照 ,  石坂 和紀 ,  岩崎 俊夫
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-284658
公開番号（公開出願番号）：特開平11-106282
出願日： 1997年10月01日
公開日（公表日）： 1999年04月20日
要約：

【要約】【課題】 この発明は、シリコン単結晶育成時に形成される転位クラスターサイズの評価法を提供するものである。また、この発明は、COP等のgrown-in欠陥が少なく、なおかつ転位クラスターサイズ、あるいは転位クラスターサイズと密度の積を低減させるシリコン単結晶製造条件、及びシリコン単結晶を提供することを目的としている。【解決手段】 シリコン単結晶の評価法において、赤外干渉法によって得られた転位クラスター像から転位クラスターサイズを評価する。また、チョクラルスキー法によって得られるシリコン単結晶において、COPが104 個/cm3以下であり、かつ転位クラスターサイズが50μm以下、あるいは転位クラスターサイズと密度の積が105 μm/cm3 以下となるような単結晶シリコンを提供する。また、チョクラルスキー法におけるシリコン単結晶製造法において、引上速度を制御することによって上記の様なシリコン単結晶を製造する方法を提供する。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法により製造されたシリコン単結晶であって、表面異物計で測定したサイズ0.11μm以上のCOPの密度がウエハ全面にわたって104 個/cm3 以下、かつ転位クラスターのサイズがウエハ全面にわたって50μm以下であることを特徴とするシリコン単結晶。

IPC (5件)：

C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502 ,  G01N 21/00 ,  G01N 21/88 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

C30B 15/00 Z ,  C30B 29/06 502 E ,  G01N 21/00 B ,  G01N 21/88 E ,  H01L 21/66 N

引用特許：

審査官引用 (3件)

• シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-158458   出願人：住友シチックス株式会社
• シリコンウェーハ、およびこのシリコンウェーハを得るためのシリコン単結晶の製造方法、ならびにその評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-066074   出願人：新日本製鐵株式会社
• 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-134274   出願人：信越半導体株式会社