特許
J-GLOBAL ID：200903024602240233
シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶ウエーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-021409
公開番号（公開出願番号）：特開平11-199386
出願日： 1998年01月19日
公開日（公表日）： 1999年07月27日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 制御幅が広く、制御し易い製造条件の下で、V-リッチ領域およびI-リッチ領域のいずれも存在しない、結晶全面に亙って極低欠陥密度であるCZ法によるシリコン単結晶ウエーハを、単結晶棒の全体で作製可能とする。【解決手段】 チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際に、引上げ速度をF[mm/min]とし、シリコンの融点から1400°Cの間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をG[°C/mm]で表した時、結晶中心から結晶周辺までの距離D[mm]を横軸とし、F/G[mm2 /°C・min]の値を縦軸として欠陥分布を示した欠陥分布図において、OSF領域と、その外側のN-領域の範囲内で結晶を引上げる。そして、ウエーハの中央部に熱酸化処理をした際にOSFが発生するか、あるいはOSFの核が存在するものであり、かつ、FPD及びL/Dがウエーハ全面内に存在しないシリコン単結晶ウエーハを得る。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際に、引上げ速度をF[mm/min]とし、シリコンの融点から1400°Cの間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をG[°C/mm]で表した時、結晶中心から結晶周辺までの距離D[mm]を横軸とし、F/G[mm2 /°C・min]の値を縦軸として欠陥分布を示した欠陥分布図において、OSF領域と、その外側のN-領域の範囲内で結晶を引上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/06 502
, C30B 15/20
, H01L 21/208
C30B 29/06 502 J
, C30B 15/20
, H01L 21/208 P
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)
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