特許

J-GLOBAL ID：200903091495862098

窒化物LED素子の製造方法

発明者： 金 成珍 ,  谷口 浩一 ,  中井 輝久 ,  岡川 広明 ,  工藤 広光
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-089917
公開番号（公開出願番号）：特開2008-251753
出願日： 2007年03月29日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：

【課題】半導体ウェハを分断する前に基板の裏面をエッチング加工して凹凸面とする工程を有しながら、その後の工程で、半導体ウェハを歩留りよくチップ状に分断することのできる、窒化物LED素子の製造方法を提供すること。【解決手段】(A)一方の面が鏡面である透光性の基板と、該基板の他方の面上に形成され発光ダイオード構造を備えた窒化物半導体層と、を少なくとも含む、半導体ウェハを準備する工程と、(B)上記基板の一方の面上に、分断予定ライン上の領域を保護するための保護膜を部分的に形成する工程と、(C)上記基板の一方の面上の上記保護膜で覆われていない領域をエッチング加工して凹凸面とする工程と、を有する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

(A)一方の面が鏡面である透光性の基板と、該基板の他方の面上に形成され発光ダイオード構造を備えた窒化物半導体層と、を少なくとも含む、半導体ウェハを準備する工程と、 (B)上記基板の一方の面上に、分断予定ライン上の領域を保護するための保護膜を部分的に形成する工程と、 (C)上記基板の一方の面上の上記保護膜で覆われていない領域をエッチング加工して凹凸面とする工程と、 を有する窒化物LED素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (6件)：

5F041AA03 ,  5F041AA41 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 基板表面処理方法及びIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-283902   出願人：豊田合成株式会社
• 半導体発光素子製造方法および半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-251468   出願人：学校法人名城大学