特許
J-GLOBAL ID：200903060262246386

基板表面処理方法及びIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。

発明者：
五所野尾 浩一

五所野尾 浩一 について

, 
伊藤 潤

伊藤 潤 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (3件)： 小西 富雅 ,  中村 知公 ,  萩野 幹治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-283902
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100518
出願日： 2004年09月29日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
【課題】 半導体発光素子の基板表面に発光された光を散乱可能な凹凸を簡易に形成できる方法を提供する。 【解決手段】 エッチングとデポジションが同時に生じるように基板の表面をエッチング処理し、該基板表面へ光を散乱可能な凹凸を形成する。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
エッチングとデポジションが同時に生じるように基板の表面をエッチング処理し、該基板表面へ光を散乱可能な凹凸を形成する、ことを特徴とする半導体発光素子用の基板表面処理方法。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/306
FI (2件)：
H01L33/00 C ,  H01L21/302 101C
Fターム (10件)：
5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004CA02 ,  5F004DB14 ,  5F004EA37 ,  5F004EB08 ,  5F041AA07 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA99
引用特許：
出願人引用 (3件)

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