特許
J-GLOBAL ID：200903054234975011
半導体発光素子製造方法および半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
横井 俊之
, 岩上 渉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-251468
公開番号（公開出願番号）：特開2005-354020
出願日： 2004年08月31日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
【課題】 光の取り出し効率が極めて高い半導体発光素子製造方法および半導体発光素子の提供を課題とする。【解決手段】 本発明においては、光の平均光学波長の2倍以下の周期で形成された周期構造A1を半導体発光素子10の光の取り出し面に形成することにより、光の取り出し面における屈折率の差を緩和することができる。従って、光の取り出し面における反射を防止することができ、高い光の取り出し効率を実現することができる。さらに、Au薄膜を加熱することにより微細な周期マスクを形成することができるため、周期構造A1を簡易かつ安価に形成することができる。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
基板上に少なくともn型半導体層とp型半導体層とからなる発光部を積層してなる半導体発光素子を作成する半導体発光素子製造方法において、
平均周期が上記発光部にて発光される光の平均光学波長の2倍以下となる周期状のパターンを有する周期マスクを形成するマスク形成工程と、
同周期マスクを用いて平均周期が上記平均光学波長の2倍以下となる周期状の周期構造を形成する周期構造形成工程とを具備することを特徴とする半導体発光素子製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F041AA03
, 5F041CA13
, 5F041CA40
, 5F041CB13
, 5F041CB15
出願人引用 (1件)
審査官引用 (11件)
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