特許
J-GLOBAL ID：200903091501153770
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
片山 修平
, 横山 照夫
, 八田 俊之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-055567
公開番号（公開出願番号）：特開2007-234912
出願日： 2006年03月01日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：
【課題】エッチング選択比が高くかつマスク層の剥離を抑制することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、炭化シリコン、酸化シリコン、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウムガリウム、窒化インジウムガリウムおよび窒化アルミニウムの少なくとも1つを含む被エッチング層(10)上に、開口部(22)を有し、被エッチング層(10)側からニッケルクロム膜、金膜およびニッケル膜の順で形成されたマスク層(18)を形成する工程と、マスク層(18)をマスクに被エッチング層(10)をエッチングする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
炭化シリコン、酸化シリコン、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウムガリウム、窒化インジウムガリウムおよび窒化アルミニウムの少なくとも1つを含む被エッチング層上に、開口部を有し、前記被エッチング層側からニッケルクロム膜、金膜およびニッケル膜の順で形成されたマスク層を形成する工程と、
前記マスク層をマスクに前記被エッチング層をエッチングする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F004AA02
, 5F004BA04
, 5F004BA14
, 5F004BA20
, 5F004CA04
, 5F004DB00
, 5F004DB03
, 5F004DB14
, 5F004DB19
, 5F004EA05
, 5F004EA17
, 5F004EB01
